RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 22, страницы 39–48 (Mi pjtf6258)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Исследование электрофизических свойств поверхности пористого GaP(111)

С. А. Масаловa, А. В. Атращенкоab, В. П. Улинa, Е. О. Поповa, А. Г. Колоськоa, С. В. Филипповa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Проведены измерения локальных электрофизических свойств поверхности пористого GaP с использованием методики туннельной спектроскопии в сверхвысоком вакууме. Обнаружены две области поверхности с различными электрофизическими свойствами. Наблюдался эффект аномальной полевой фотоэмиссии, наиболее вероятной причиной которой является наличие нанокластеров Ga$_{2}$O$_{3}$, GaP и ассоциированных с ними поверхностных состояний акцепторного типа, обладающих высокой плотностью. Для получения интегральных характеристик полевой электронной эмиссии с поверхности образца использовалась компьютеризированная система регистрации с онлайн-обработкой воль-тамперных характеристик.

Поступила в редакцию: 17.06.2016


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2016, 42:11, 1118–1121

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024