Аннотация:
Исследованы электрические и спектрометрические характеристики детекторов на основе 4$H$-SiC с Cr-барьерами Шоттки в спектральных диапазонах 114–175 и 210–400 nm. Показано, что качество коммерчески доступных слоев 4$H$-SiC позволяет создавать детекторы ультрафиолетового излучения с внешним квантовым выходом больше 20% в исследованных диапазонах.