Фотолюминесценция в области края фундаментального поглощения текстурированного без маскирования монокристаллического кремния

Проведено сравнение эффективностей вывода краевой люминесценции из монокристаллического кремния для трех структур: текстурированной без маскирования, нетекстурированной и текстурированной с использованием маскирования по технологии высокоэффективных солнечных элементов. Наибольшая эффективность получена для структуры, текстурированной без маскирования. В условиях безызлучательной рекомбинации, описываемых постоянной времени экспоненциального спада фотолюминесценции (ФЛ) $\sim$0.11 ms, для текстурированной без маскирования структуры величина коэффициента преобразования мощности излучения на длине волны $\sim$0.66 $\mu$m, равной 75 mW, в выходящую из полупроводника мощность краевой ФЛ составила $\eta\approx$ 0.8%. Измерены диаграммы направленности краевой ФЛ для трех исследованных структур.