А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 16,страницы 41

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах

А. А. Борисов^a, К. С. Журавлев^b, С. С. Зырин^a, В. Г. Лапин^a, В. М. Лукашин^a, A. A. Маковецкая^a, В. И. Новоселец^a, А. Б. Пашковский^a, А. И. Торопов^b, Н. Д. Урсуляк^a, С. В. Щербаков^a

^a Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Проведено сравнение малосигнальных характеристик транзисторов на псевдоморфной гетероструктуре с донорно-акцепторным легированием (DA-pHEMT) и транзисторов на традиционной псевдоморфной гетероструктуре (pHEMT) без акцепторного легирования. Показано, что DA-pHEMT при прочих равных условиях, несмотря на меньшие значения слабополевой подвижности электронов, имеют заметно больший коэффициент усиления, чем обычные pHEMT. Эффект обусловлен тем, что в DA-pHEMT средняя дрейфовая скорость под затвором заметно (по оценкам в 1.4–1.6 раза) выше. Рост дрейфовой скорости вызван двумя основными, сравнимыми по влиянию причинами: уменьшением роли поперечного пространственного переноса за счет усиления локализации горячих электронов в канале и уменьшением рассеяния горячих электронов из-за сильного размерного квантования в потенциальной яме DA-pHEMT-структуры.

Поступила в редакцию: 22.03.2016