Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$

В. А. Дмитриев, П. А. Иванов, В. И. Левин, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 09.06.1987

Реферативные базы данных:

•