А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 12,страницы 82

Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K

А. В. Саченко^a, А. Е. Беляев^a, Н. С. Болтовец^b, Р. В. Конакова^a, С. А. Витусевич^a, С. В. Новицкий^a, В. Н. Шеремет^a, А. С. Пилипчук^c

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
^c Институт физики НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Измерено удельное контактное сопротивление $\rho_{c}$ омических контактов на основе InP и GaAs в диапазоне температур 4.2–300 K. Получены немонотонные температурные зависимости $\rho_{c}$ с минимумом при $T$ = 50 K для InP и $T$ = 150 K для GaAs. Для контактов на основе GaAs немонотонные зависимости $\rho_{c}(T)$ получены впервые. Показано, что экспериментальные зависимости $\rho_{c}(T)$ объясняются в рамках механизма прохождения тока через металлические шунты, проникающие в глубь полупроводника, с учетом вымораживания электронов при гелиевых температурах. Омичность контактов обеспечивается благодаря ограничению электронного тока диффузионным подводом при реализации обогащающих изгибов зон на границе полупроводника с металлом у торца шунта.

Поступила в редакцию: 04.02.2016