Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания

Представлены результаты экспериментальных исследований диодных структур $n^{++}$–$p^{++}$-Si со встроенным на границу раздела туннельно-тонким SiO$_{2}$ с нанокластерами Si, полученных методом прямого сращивания. Выявлено наличие мемристорного эффекта с биполярным режимом переключения. Введение в диэлектрик нанокластеров Si понижает случайный характер возникновения проводящего канала. На ВАХ наблюдаются промежуточные метастабильные состояния, что может оказаться важным для мультибитного хранения данных.