Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки

Для мемристивных структур Au/SiO$_{x}$/TiN/Ti, полученных методом магнетронного распыления и проявляющих воспроизводимый эффект резистивного переключения, проанализировано влияние толщины и стехиометрии пленки SiO$_{x}$, а также площади верхнего золотого электрода на параметры резистивного переключения. Полученные результаты свидетельствуют в пользу филаментной модели резистивного переключения в пленках SiO$_{x}$.