RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 9, страницы 80–87 (Mi pjtf6434)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электрохимическое травление $p$$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов

А. С. Усиковab, H. Helavab, A. Nikiforovc, М. В. Пузыкad, Б. П. Папченкоa, Ю. В. Ковалеваa, Ю. Н. Макаровbe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Nitride Crystals Inc., USA
c Boston University, Photonics Center, USA
d Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
e ГК "Нитридные кристаллы", С.-Петербург

Аннотация: Исследованы особенности травления $p$$n$-структур GaN/AlGaN в щелочном электролите на основе KOH. Установлено, что вначале процесс коррозии проходил сквозь $p$-слои по вертикальным каналам, связанным с прорастающими дефектами в структуре. Затем процесс коррозии проходил в латеральном направлении по $n$-слоям структуры, формируя локальные полости и пустоты. Латеральное травление связано с присутствием положительных пьезоэлектрических зарядов на границах слоев $n$-AlGaN и $n$-GaN и положительно заряженных ионизованных доноров в области пространственного заряда $p$$n$-перехода.

Поступила в редакцию: 16.12.2015


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2016, 42:5, 482–485

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024