Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

Методами рентгеновской дифрактометрии изучены темплейты AlN/$c$-сапфир, полученные плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксией. Продемонстрированы преимущества крупнозернистых нуклеационных слоев AlN, полученных с помощью высокотемпературной (780$^\circ$С) эпитаксии с повышенной миграцией ЭПМ адатомов. Использование 3.5-nm вставок GaN (при их 3D-росте в N-обогащенных условиях) позволило получить темплейты с незначительными остаточными макронапряжениями и относительно узкими полуширинами (FWHM) кривых дифракционного отражения 0002 и 10$\bar1$5.