Фотолюминесценция пленок Ta$_{2}$O$_{5}$, формируемых методом молекулярного наслаивания

Пленки Ta$_{2}$O$_{5}$ различной толщины (20–100 nm), синтезированные методом молекулярного наслаивания на подложках кремния Si $p$-типа и термически окисленного кремния, изучены методами высокочастотных вольт-фарадных характеристик и фотолюминесценции (ФЛ). Установлено формирование канала дырочной проводимости в системе Si–Ta$_{2}$O$_{5}$–полевой электрод. Предложена модель электронного строения пленок Ta$_{2}$O$_{5}$ на основе анализа измеренных спектров ФЛ и проведенных электрофизических исследований.