RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 6, страницы 6–13 (Mi pjtf6467)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Роль кристаллографической анизотропии в формировании структуры имплантированных слоев монокристаллов NiTi

Т. М. Полетикаa, Л. Л. Мейснерab, С. Л. Гирсоваa, А. В. Твердохлебоваa, С. Н. Мейснерab

a Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
b Национальный исследовательский Томский государственный университет

Аннотация: Методом оже-электронной спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии исследованы состав и структура имплантированных слоев Si монокристаллов NiTi, различно ориентированных относительно направления ионно-пучкового воздействия. Выявлена роль “мягкой” [111]$_{\mathrm{B2}}$ и “жесткой” [001]$_{\mathrm{B2}}$ ориентаций NiTi в формировании структуры ионно-модифицированного поверхностного слоя, а также дефектной структуры приповерхностных слоев монокристаллов.

Поступила в редакцию: 01.10.2015


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2016, 42:3, 280–283

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024