А. А. Лазаренко, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. Ю. Егоров, “Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 6,страницы 14

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Влияние конструкции переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов

А. А. Лазаренко^a, Е. В. Никитина^a, Е. В. Пирогов^a, М. С. Соболев^a, А. Ю. Егоров^bc

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Исследовано влияние толщины переходного слоя In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As на подвижность электронов в канале InAlAs/InGaAs/GaAs HEMT-транзистора с метаморфным буфером. Исследования проводились методами атомно-силовой микроскопии и методом Холла. Оптимальная конструкция буфера способствует подавлению прорастания дислокаций несоответствия в верхние слои гетероструктуры и препятствует развитию микрорельефа поверхности.

Поступила в редакцию: 17.08.2015