RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 2, страницы 30–36 (Mi pjtf6530)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350$^\circ$C диапазоном рабочих температур

А. В. Леоновa, А. А. Малыхa, В. Н. Мордковичa, М. И. Павлюкb

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Московская область, Черноголовка
b ЗАО "ПКК Миландр", Москва, Зеленоград

Аннотация: Рассматривается магниточувствительный элемент, представляющий собой комбинацию тонкопленочного Si-транзистора со встроенным каналом, изготовленного по технологии “кремний на изоляторе”, и элемента Холла. Транзистор имеет двухзатворную управляющую полевую систему типа металл-диэлектрик-полупроводник–диэлектрик–металл. Он функционирует в режиме обогащения канала носителями тока при частичном обеднении областей пленки Si, прилегающих к каналу. Показано, что прибор функционирует до температур порядка 350$^\circ$C (что на 160–180$^\circ$C выше, чем у элемента Холла, изготовленного на основе объемных кристаллов Si) и не уступает по этому параметру элементам Холла на основе широкозонных полупроводников.

Поступила в редакцию: 04.08.2015


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2016, 42:1, 71–74

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024