Гибридный фотоприемник среднего инфракрасного диапазона на основе полупроводниковых квантовых ям

Реализовано гибридное фотоприемное устройство, в котором для увеличения взаимодействия электромагнитного поля с электронной подсистемой квантовых ям используются частицы карбида кремния (SiC). На основе прямых измерений фотопроводимости в среднем инфракрасном диапазоне и расчетов в рамках метода конечных разностей во временной области показано, что такой подход позволяет увеличить чувствительность фотоприемного устройства к электромагнитному излучению за счет поворота направления поляризации электрического поля, в том числе в ближней зоне частиц SiC.