Исследование влияния облучения потоком электронов на фотоэлектрические и электрофизические свойства кремниевых гетероструктурных солнечных элементов

Изготовлены и изучены гетероструктурные солнечные элементы HJT на кремниевой подложке $n$-типа, а также исследовано влияние облучения электронами на их фотоэлектрические свойства. Показано, что при облучении электронами с флюенсом 5 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$ происходит катастрофическое падение величины квантовой эффективности при длинах волн более 600 nm, приводящее к уменьшению тока короткого замыкания с 33 до 22 mA/cm$^2$ и напряжения холостого хода с 0.7 до 0.52 V, а при флюенсе 1$\cdot$10$^{15}$ cm$^{-2}$ – до 18 mA/cm$^2$ и 0.50 V соответственно. С помощью метода спектроскопии полной проводимости обнаружен дефект с энергией активации 0.18 eV в облученных структурах, который, вероятно, может быть ответственным за такое поведение характеристик, его концентрация увеличивается при увеличении флюенса.