Аномально быстрая люминесценция тиосиликата CsСеSiS$_4$

Монокристаллы тиосиликата CsСеSiS$_4$ получены методом высокотемпературного флюсового синтеза. Спектр поглощения в области 450 nm формируется переходами $f\to d$ в ионе Ce$^{3+}$. В спектрах фото- и рентгенолюминесценции в области 520 nm при температурах 5–330 K наблюдается неэлементарная полоса $5d\to 4f$ излучения ионов Ce$^{3+}$. Безынерционная кинетика затухания люминесценции при возбуждении синхротронным излучением рентгеновского диапазона характеризуется доминирующей компонентой с временем затухания $\tau$ = 0.88 ns. Люминесценция ионов Ce$^{3+}$ эффективно возбуждается внутрицентровым путем или за счет рекомбинации зонных носителей заряда.