Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика

Впервые изготовлены образцы полевых транзисторов для “двумерной” электроники на основе сочетания графена (материала канала) и эпитаксиального фторида кальция (изолирующего затвор материала). Измерены стандартные для приборов данного типа характеристики, подтвердившие работоспособность этих приборов. Исследование можно рассматривать как шаг к созданию транзисторов с новыми материалами, перспективными для дальнейшего масштабирования элементов. Одна из ближайших задач – снижение разброса характеристик приборных структур.