С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, В. А. Крючков, А. Э. Ризаев, М. И. Кондратов, А. Е. Гришин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой”, Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 4,страницы 43

Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой

С. О. Слипченко^a, А. А. Подоскин^a, И. В. Шушканов^a, В. А. Крючков^a, А. Э. Ризаев^a, М. И. Кондратов^a, А. Е. Гришин^a, Н. А. Пихтин^a, Т. А. Багаев^ab, В. Н. Светогоров^b, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, В. А. Симаков^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, Москва, Россия

Аннотация: Разработаны и исследованы низковольтные тиристорные токовые ключи для генерации высокочастотной последовательности токовых импульсов. Максимальная частота (400 kHz при 35 V) продемонстрирована для структуры гомотиристора GaAs (HoT). Гетероструктура тиристора с AlGaAs-барьером (HeT) демонстрировала меньший ток удержания; как следствие, максимальная частота достигала 170 kHz при 10 V. Для максимальных напряжений 55 V частоты достигали 55 и 40 kHz для структур HоT и HеT соответственно. При этом в контуре генерировались импульсы тока длительностью 3.5 ns и амплитудой 24 А.

Ключевые слова: тиристор, токовый ключ.

Поступила в редакцию: 18.10.2023
Исправленный вариант: 20.11.2023
Принята в печать: 22.11.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.04.57101.19771