И. А. Мельниченко, С. Д. Комаров, А. С. Драгунова, А. А. Караборчев, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, А. Е. Жуков, “Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии”, Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 5,страницы 3

Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии

И. А. Мельниченко^ab, С. Д. Комаров^a, А. С. Драгунова^a, А. А. Караборчев^a, Э. И. Моисеев^a, Н. В. Крыжановская^a, И. С. Махов^a, А. Е. Жуков^a

^a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAs$_x$P$_{1-x}$/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77–290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 $\mu$m.

Ключевые слова: наноструктуры А$_3$В$_5$, интеграция InAsP в кремний, InAsP/InP.

Поступила в редакцию: 13.11.2023
Исправленный вариант: 15.11.2023
Принята в печать: 15.11.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.05.57175.19801