Высокотемпературный светоизлучающий алмазный $p$–$i$–$n$-диод на азот-вакансионных центрах люминесценции

Изготовлен алмазный светоизлучающий $p$–$i$–$n$-диод на основе легированного азотом синтетического монокристалла алмаза ($n$-тип проводимости), выращенного при высоком давлении и температуре, и тонких слоев, выращенных методом гомоэпитаксиального роста из газовой фазы: $i$-слоя слаболегированного алмаза с азот-вакансионными оптически активными центрами и слоя, сильно легированного бором ($p$-тип проводимости). Впервые исследованы вольт-амперные характеристики и спектры электролюминесценции при температурах в диапазоне 300–680$^\circ$C. Спектр излучения при $T$ = 450$^\circ$C имеет максимум в области 590–610 nm и аналогичен спектрам электролюминесценции азот-вакансионных центров, наблюдавшимся ранее при комнатной температуре в алмазных $p$–$i$–$n$-диодах с $n$-слоями, легированными фосфором. Интенсивность излучения возрастает пропорционально электрической мощности тока диода.