Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 $\mu$m с шириной кольцевого контакта 10 $\mu$m. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20$^\circ$C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113$^\circ$C.