RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 6, страницы 23–27 (Mi pjtf6632)

Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

Ф. И. Зубовa, Ю. М. Шерняковb, А. А. Бекманb, Э. И. Моисеевa, Ю. А. Салий (Гусева)ab, М. М. Кулагинаb, Н. А. Калюжныйb, С. А. Минтаировb, М. В. Максимовa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 $\mu$m с шириной кольцевого контакта 10 $\mu$m. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20$^\circ$C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113$^\circ$C.

Ключевые слова: микролазер, полудисковый резонатор, моды шепчущей галереи, квантовые яма-точки.

Поступила в редакцию: 29.11.2023
Исправленный вариант: 06.12.2023
Принята в печать: 06.12.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2024.06.57302.19821



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025