Туннельные диоды $n^{++}$-GaAs:($\delta$-Si)/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As:(C) для соединительных элементов многопереходных лазерных фотопреобразователей

Предложен новый тип термостабильного соединительного туннельного диода с промежуточным $i$-слоем, перспективный для реализации высокоэффективных многопереходных лазерных фотопреобразователей. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены два типа структур туннельных диодов $n^{++}$-GaAs/$p^{++}$-Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As: с промежуточным слоем $i$-GaAs и без него. Экспериментально продемонстрировано, что включение наноразмерного $i$-слоя между $n^{++}$- и $p^{++}$-областями туннельного диода обеспечивает рост плотности пикового туннельного тока $J_p$. При отжиге эпитаксиальных пластин, имитирующем длительный технологический процесс эпитаксиального роста многопереходных фотопреобразователей лазерного излучения, в структуре с $i$-слоем наблюдается рост пикового туннельного тока $J_p$ на 30%.