Об успешном опыте гомоэпитаксии слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ на собственных подложках

Предложен способ изготовления подложек из объемных кристаллов оксида галлия $\beta$-Ga$_2$O$_3$ методом скалывания. На примере выращивания на изготовленных подложках слоев $\beta$-Ga$_2$O$_3$ и $\beta$-(Al$_x$Ga$_{1-x}$)$_2$O$_3$ методом эпитаксии из металлоорганических соединений показана возможность их использования для гомоэпитаксии. Проведен анализ морфологии поверхности и структурного качества полученных слоев.