Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получены изотопно-обогащенные гетероструктуры $^{28}$Si/$^{28}$Si$^{72}$Ge с низким (на уровне сотен атомов на миллион) содержанием изотопов с ненулевым ядерным спином как кремния ($^{29}$Si), так и германия ($^{73}$Ge). Максимальная подвижность носителей в двумерном электронном газе в полученных структурах составила $\sim$4.5 $\cdot$ 10$^4$ cm$^2$/(V $\cdot$ s) при $T$ = 1.6 K, что свидетельствует об их высоком качестве. Низкое содержание изотопов Si и Ge с ненулевым ядерным спином и высокое качество полученных образцов позволяет использовать их для формирования спиновых кубитов.