Проводимость наноконтакта к A$^{\mathrm{III}}$As- и A$^{\mathrm{III}}$Sb-полупроводникам со слоем естественного оксида

Исследованы поверхностные электронные явления в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ (A$^{\mathrm{III}}$As и A$^{\mathrm{III}}$Sb) со слоем естественного оксида методами сканирующей зондовой микроскопии. Методом Кельвин-зонд-микроскопии показано, что работа выхода полупроводника определяется работой выхода образующегося при окислении приповерхностного слоя элемента V группы (As, Sb). Измерение вольт-амперных характеристик методом проводящей атомно-силовой микроскопии выявило, что проводимость в области точечного наноконтакта определяется сопротивлением растекания и величиной приповерхностного изгиба зон, зависящими от положения уровня Ферми в объеме полупроводника и работы выхода приповерхностного слоя.