Гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для малошумящих полевых транзисторов

Представлены первые результаты теоретического исследования гетероструктур для малошумящих транзисторов с донорно-акцепторным легированием и системами чередующихся тонких слоев AlAs/GaAs, образующих дополнительные цифровые потенциальные барьеры. Введение цифровых барьеров практически полностью устраняет канал параллельной проводимости по широкозонному материалу, значительно повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. Всплеск дрейфовой скорости в соответствующих гетероструктурах приближается к теоретическому пределу для используемой модели – всплеску дрейфовой скорости электронов в нелегированном объемном материале канала.