Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO$_2$

Изучены тонкие пленки оксида гафния, формируемые методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения на поверхности теллурида кадмия-ртути в диапазоне температур 80–160$^\circ$C. Для характеризации свойств пленок и границы раздела диэлектрик-полупроводник применены следующие методики: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергий электронов, атомно-силовая микроскопия, спектральная эллипсометрия, а также анализ вольт-фарадных характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник. Представлены зависимости исследуемых параметров от температуры осаждения диэлектрика.