Вклад области, обедненной носителями заряда, в вольт-амперную характеристику фотопреобразователей

Проанализирован вклад рекомбинационного тока нерезкого $n$–$p$-перехода с диффузионным профилем легирования в вольт-амперную характеристику кремниевых фотопреобразователей. Показано, что расположение области пространственного заряда и области, обедненной носителями заряда, не совпадает. Значение электрического потенциального барьера $n$–$p$-перехода $V_0$ равно изменению потенциала электрического поля в области, обедненной носителями заряда, а не во всей области пространственного заряда. Этот факт существенно ограничивает значения напряжения холостого хода и КПД фотопреобразователей.