RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 17, страницы 7–10 (Mi pjtf6751)

Формирование островков и нитевидных нанокристаллов на коротких затравках InAs при эпитаксиальном росте InAs$_{1-x}$N$_x$ на кремнии

А. К. Кавеевa, Д. В. Минивb, В. В. Федоровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показана возможность формирования на поверхности Si(111), покрытой нарушенным оксидом кремния, нитевидных нанокристаллов InAs$_{1-x}$N$_x$ на коротких затравках InAs. Также обнаружено формирование паразитного островкового слоя. Выявлено, что в первом случае формируется преимущественно структурная фаза вюрцита, а во втором случае – структурная фаза сфалерита.

Ключевые слова: InAs$_{1-x}$N$_x$, разбавленный нитрид, нитевидные нанокристаллы, молекулярно-лучевая эпитаксия.

Поступила в редакцию: 04.04.2024
Исправленный вариант: 26.04.2024
Принята в печать: 07.05.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.17.58572.19941



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025