Исследование методами электронной оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии длины свободного пробега электрона в нанопленках иттербия

С помощью методов электронной оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии измерена длина свободного пробега электрона в иттербии. Показано, что ее величина является аномально высокой в двухвалентных металлических пленках ($\sim$13–15 $\mathring{\mathrm{A}}$ при энергии 92 eV). При переходе иттербия в трехвалентное состояние длина свободного пробега становится близка к средним значениям для большинства металлов. Это связано с промотированием $4f$-электрона на $5d$-уровень в валентной зоне и увеличением сечения возбуждения плазмонных потерь в пленках Yb$^{3+}$.