Аннотация:
Проведены расчеты диэлектрической проницаемости в вырожденном $n$-Si на переходах рентгеновских термов. Продемонстрирована возможность создания многослойных рентгеновских зеркал на частотах вблизи таких переходов при периодическом легировании с коэффициентом отражения около 50% при температуре 77 K. Указано на возможность создания с помощью эффекта Штарка в мощном оптическом излучении динамических масок в таких многослойных рентгеновских зеркалах.