Резонансы рельефных треугольных решеток для ввода/вывода терагерцевого излучения в полупроводниках А$_3$В$_5$

С помощью численного моделирования получены дифракционные эффективности рельефных полупроводниковых решеток в терагерцевом диапазоне, а также рассмотрены свойства рельефных полупроводниковых решеток с треугольным симметричным профилем штрихов. Показано, что в таких решетках поддерживаются три типа резонансов: плазмон-поляритонные, рэлеевский и связанный с глубиной штриха. Диэлектрическая проницаемость InSb, GaAs и Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As при заданной температуре бралась из литературных данных или расчетов с использованием модели Друде–Лоренца c учетом фононов. Установлено, что решетки данного типа в отличие от решеток с другими профилями штриха демонстрируют очень глубокие и узкие плазмон-поляритонные и рэлеевские резонансы.