Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

Описываются солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlN/Al$_{0.7}$Ga$_{0.3}$N/Al$_{0.55}$Ga$_{0.45}$N, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира с буферными слоями AlN. Для оценки концентраций прорастающих дислокаций, влияющих на токи утечки и спектральную чувствительность фотодиодов, использовались рентгенодифракционный анализ и химическое травление поверхности. Оптимизация конструкции фотодиодов позволила достигнуть фоточувствительности 51 mA/W в солнечно-слепом диапазоне ($\lambda<$ 290 nm) в фотовольтаическом режиме.