Аннотация:
Исследована зависимость положения линии лазерной генерации от оптических потерь в полосковых лазерах, содержащих различное число слоев плотных массивов квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых ям-точек). Получено аналитическое выражение, устанавливающее в явном виде связь положения максимума спектра усиления с величиной усиления в максимуме для массива с гауссовской плотностью состояний. Продемонстрировано хорошее согласие предсказаний модели с экспериментальными данными. Насыщенное модовое усиление оценено как 51 cm$^{-1}$ на слой.