Монолитный трехпереходный $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотопреобразователь лазерного излучения

Исследованы фотовольтаические характеристики гетероструктурных трехпереходных $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей монохроматического излучения, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии в едином технологическом процессе. Спектральная чувствительность созданных трехпереходных фотопреобразователей находилась в диапазоне длин волн 0.78–0.87 $\mu$m. В фотовольтаическом режиме достигнуты значения напряжения холостого хода 1.82 V и электрической мощности 0.34 mW/cm$^2$ при плотностях мощности лазерного излучения $\le$ 2 mW/cm$^2$ на длине волны $\lambda$ = 850 nm. Полученные значения превосходят характеристики однопереходных $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователей, созданных по идентичной технологии. Разработанные трехпереходные фотоэлектрические преобразователи могут быть использованы в системах дистанционного питания миниатюрных микросхем, в имплантируемой биоэлектронике и биосенсорах, а также в долговременных радиолюминесцентных источниках энергии.