RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2024, том 50, выпуск 22, страницы 48–52 (Mi pjtf6828)

Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP

П. Е. Копытовa, И. А. Старковa, И. И. Новиковa, С. А. Блохинb, Д. С. Папылевa, Р. В. Левинb, В. В. Андрюшкинa, Я. Н. Ковачb, Е. В. Никитинаc, К. О. Воропаевd, Л. Я. Карачинскийa

a Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
d АО "ОКБ-Планета", Великий Новгород, Россия

Аннотация: Разработан физический подход для моделирования процесса диффузии Zn в гетероструктуры InGaAs/InP из металлоорганического источника диэтилцинка в реакторе установки газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Результаты численных расчетов на основе предложенной модели показали соответствие экспериментальным данным по распределению электрически активных примесей в гетероструктурах InGaAs/InP, полученным методом вольт-фарадного профилирования. Установлены эффективные коэффициенты диффузии Zn в материалах InGaAs/InP и их зависимости от температуры и давления в реакторе. Определены нелинейные координатные зависимости коэффициента сегрегации, уникальные для каждого технологического процесса. Сравнение результатов численного моделирования с данными, полученными методом сканирующей электронной микроскопии двумерного профиля диффузии, продемонстрировало изотропность диффузионных процессов для гетероструктур InGaAs/InP.

Ключевые слова: диффузия, диэтилцинк, примесь, сегрегация, фосфид индия.

Поступила в редакцию: 14.07.2024
Исправленный вариант: 22.07.2024
Принята в печать: 29.07.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2024.22.59136.20059



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025