Формирование монокристаллических пленок сплава Гейслера на основе соединения CоFeMnSi на подложке MgO

Метод импульсного лазерного осаждения применен для выращивания на атомарно-гладкой поверхности подложки MgO (100) тонких пленок CоFeMnSi, представляющих интерес для современной спинтроники. Оптимизация температуры подложки, энергии и частоты импульсов лазерного источника позволила сформировать сплошные, однородные по толщине монокристаллические пленки без последующего высокотемпературного отжига. С помощью электронно-микроскопических исследований и дифракционного анализа образцов поперечного сечения выращенных на подложке пленок продемонстрировано, что они имеют совершенную кубическую кристаллическую структуру. Показано, что атомные плоскости CоFeMnSi $\{202\}$ сопрягаются с параллельными им плоскостями подложки MgO $\{020\}$, а рассогласование между их межплоскостными расстояниями, равное 4.65%, приводит к образованию дислокаций несоответствия на границе раздела.