Метод расчета концентрации релятивистских заряженных частиц

Развит $Q$, $G$-метод для изучения нестационарных процессов в бесстолкновительной плазме с релятивистскими частицами. Предложен способ расчета концентрации заряженных частиц, которые вылетают с эмиттера и движутся без столкновений в нестационарном электрическом поле произвольного вида. Получены аналитические выражения для концентрации частиц и тока при малом возмущении электрического поля. На основе полученных выражений построена теория устойчивости стационарных состояний релятивистского диода Бурсиана в отсутствие отражения электронов от потенциальных барьеров.