Пленение излучения и субзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии из $p$-GaAs(Cs,O)

В спектрах квантового выхода фотоэмиссии из $p$-GaAs(Cs,O), измеренных в геометрии “на отражение”, обнаружен пик при энергии фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны GaAs. Показано, что возникновение пика связано с пленением слабопоглощаемого излучения из-за диффузного рассеяния на шероховатой задней грани эпитаксиальной структуры. Обсуждаются возможные микроскопические механизмы возникновения пика: эффект Франца–Келдыша в поверхностном электрическом поле и модифицированные адсорбцией оптические переходы в адатомах цезия.