Особенности фотоэлектронных спектров Ge, имплантированного ионами Na$^+$

С использованием методов оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии поглощения света изучены состав, плотности состояния электронов валентной зоны и параметры энергетических зон Ge (111), имплантированного ионами Na$^+$ c энергией $E_0$ = 0.5 keV при дозе насыщения $D_{sat}$ = 6 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, и тонкого слоя NaGe$_2$, полученного прогревом ионно-имплантированного Ge. Показано, что в спектре валентных электронов Ge после ионной имплантации вблизи дна зоны проводимости появляется узкая зона ($\sim$ 0.2 eV) $n$-типа, что объясняется наличием в ионно-легированном слое большого количества несвязанных атомов Na. Впервые в результате прогрева ионно-имплантированного Ge получены нанопленки NaGe$_2$ с шириной запрещенной зоны $\sim$ 0.45 eV.