GaN-полевой транзистор с эффективным теплоотводом на Si-подложке

Предложена простая конструкция полевого транзистора на основе GaN на Si-подложке с эффективным теплоотводом по слоям полиалмаза, сформированным на стенках заземляющих отверстий. По расчетам в результате введения такого теплоотвода при одинаковом среднем расстоянии между секциями затворов максимальная температура в канале GaN-транзистора на Si-подложке существенно уменьшается и становится сравнимой с максимальной температурой в канале GaN-транзистора на SiC-подложке.