RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив
Письма в ЖТФ, 2023, том 49, выпуск 2, страницы 14–16 (Mi pjtf6893)
Активная копланарная линия передач на основе двухбарьерных GaAs/AlAs резонансно-туннельных диодов

А. С. Соболевab, А. Ю. Павловc, М. В. Майтамаcd, И. А. Глинскийe, Д. С. Пономаревcb, К. Е. Спиринf, Б. А. Жмудьb, Р. А. Хабибуллинbc

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
c Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
d Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, Москва, Россия
e МИРЭА — Российский технологический университет, Москва, Россия
f Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: Двухбарьерные GaAs/AlAs резонансно-туннельные диоды (РТД) являются перспективными элементами для создания генераторов субмиллиметрового и терагерцевого диапазонов частот. Образцы GaAs/AlAs РТД изготовлены и исследованы методом СВЧ-рефлектометрии, что позволило определить параметры эквивалентной схемы данных диодов. Теоретически показано, что копланарная линия передач с периодически включенными в нее GaAs/AlAs РТД является усиливающей до частоты 8 GHz.

Ключевые слова: резонансно-туннельные диоды, активные линии передач, распределенные генераторы, диоды с двойными металлическими контактами.

Поступила в редакцию: 18.10.2022
Исправленный вариант: 31.10.2022
Принята в печать: 09.11.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54279.19395



Реферативные базы данных:

© МИАН, 2025