Дефектная структура пленки $\alpha$-Ga$_2$O$_3$, выращенной на $m$-грани подложки сапфира, по данным просвечивающей электронной микроскопии

Приводятся результаты исследования методом просвечивающей электронной микроскопии структурного состояния пленки $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ толщиной $\sim$1 $\mu$m, выращенной на призматической $m$-грани сапфира методом хлоридной газофазной эпитаксии. Обсуждается влияние ориентации подложки на формирование дислокационной структуры. Выявлены проникающие дислокации, в том числе с вектором Бюргерса $1/3\langle11\bar{2}0\rangle$, и дислокационные полупетли. Наклонное распространение дислокаций и образование дислокационных полупетель приводят к снижению плотности проникающих дислокаций вблизи ростовой поверхности.