Терморефлектометрия монокристаллов селенида ртути в диапазоне 35–300 K в оптоволоконной схеме накачка–зондирование с интерферометром Фабри–Перо

Проведено исследование отражения инфракрасного излучения на длине волны $1530$ nm от поверхности монокристаллов HgSe в оптоволоконной двухлучевой схеме накачка–зондирование по методу терморефлектометрии с интерферометром Фабри–Перо. Наряду с “высокотемпературной” аномалией сигнала пробного лазера (при $T >100$ K) на участке релаксации выявлена “низкотемпературная” аномалия на участке нагрева, состоящая в смене полярности сигнала при $T<50$ K. Предложена качественная интерпретация наблюдаемых особенностей относительной интенсивности отраженного сигнала в области нагрева и релаксации, основанная на гипотезе о двух типах узлов Вейля в HgSe с разными барьерами между объемными и поверхностными киральными состояниями.