Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий

Рассмотрено влияние глубины травления отверстий двумерных фотонных кристаллов, сформированных на Si структурах со встроенными Ge наноостровками, на их люминесцентный отклик. Обнаружено, что максимальная интенсивность люминесцентного отклика от фотонных кристаллов наблюдается не при формировании отверстий на всю глубину структуры, а при некоторой промежуточной глубине травления. Обсуждаются возможные причины данного экспериментального наблюдения.