Удельное сопротивление тонкопленочных электродов Si@O@Al и LiCoO$_2$

Приведены результаты измерения удельного сопротивления тонкопленочных структур Ti|Si@O@Al|Ti и Ti|LiCoO$_2$|Ti методами электрохимической импеданс-спектроскопии и циклической вольтамперометрии. Обнаружено, что по данным электрохимической импеданс-спектроскопии сопротивление Ti|Si@O@Al|Ti на три порядка превышает данные, полученные методом циклической вольтамперометрии, что связано с неомичностью контакта металл–полупроводник и варисторным эффектом. Показано, что контакт Ti–LiCoO$_2$ является омическим, а нелинейность вольт-амперной характеристики хорошо описывается варисторным эффектом. Полученные результаты имеют важное значение для интерпретации импеданс-спектров тонкопленочных твердотельных литий-ионных аккумуляторов на основе полупроводниковых материалов.