Выращивание монокристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$ раствор-расплавным методом

Исследованы режимы выращивания кристаллов Ga$_2$O$_3$ из раствора оксида галлия в расплаве MoO$_3$ в процессе выпаривания MoO$_3$ при температуре 1050$^\circ$C. Показано, что при этой температуре кристаллическая фаза Ga$_2$O$_3$ находится в равновесии с расплавом MoO$_3$. В результате экспериментов получены монокристаллы $\beta$-Ga$_2$O$_3$ размером до 1.5 mm в поперечном сечении. Состав и структура кристаллов изучены методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии.