Исследования радиационной стойкости гетероструктурных кремниевых солнечных элементов

Исследована радиационная стойкость разных типов гетероструктурных кремниевых солнечных элементов при облучении электронами с энергией 1 MeV в диапазоне флюенсов 2.5 $\cdot$ 10$^{14}$–1 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$. Исследования показали, что наименьшую деградацию токов “насыщения” диффузионного механизма токопрохождения с $J_{0d}\le$ 5 $\cdot$ 10$^{-13}$ A/сm$^2$ до $J_{0d}\le$ 3 $\cdot$ 10$^{-12}$ A/сm$^2$ и КПД с 19.2 до 13.6% (АМ0, 1367 W/m$^2$) имели образцы структур $n$–$\alpha$-Si:H/$c$–$p$(Ga)/$p$–$\alpha$-Si:H и $n$–$\mu c$-Si:H/$c$–$p$(Ga)/$p$–$\alpha$-Si:H. Полученные результаты позволяют оценить перспективы применения гетероструктурных кремниевых солнечных элементов для низкоорбитальных космических аппаратов.