RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2023, том 49, выпуск 20, страницы 20–22 (Mi pjtf7093)

Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb

Г. С. Гагисa, В. И. Кучинскийa, Р. Ю. Козловbc, Д. Ю. Казанцевa, Б. Я. Берa, М. В. Токаревa, А. С. Власовa, В. И. Васильевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
c Государственный научно-исследовательский институт редкоземельной промышленности, Москва, Россия

Аннотация: Исследованы процессы твердофазного замещения атомов пятой группы атомами фосфора в полупроводниковых пластинах InAs при температурах 580–590$^\circ$C и InSb при 440–460$^\circ$C с использованием в качестве источников паров растворов-расплавов Sn–ZnGeP$_2$ и Sn–CdGeP$_2$. Методом комбинационного рассеяния света подтверждено формирование твердого раствора InP$_x$Sb$_{1-x}$ в InSb.

Ключевые слова: твердофазные реакции замещения, $p$$n$-переход, легирование, узкозонные полупроводники.

Поступила в редакцию: 11.07.2023
Исправленный вариант: 29.08.2023
Принята в печать: 29.08.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56341.19683



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025