Аннотация:
Исследованы процессы твердофазного замещения атомов пятой группы атомами фосфора в полупроводниковых пластинах InAs при температурах 580–590$^\circ$C и InSb при 440–460$^\circ$C с использованием в качестве источников паров растворов-расплавов Sn–ZnGeP$_2$ и Sn–CdGeP$_2$. Методом комбинационного рассеяния света подтверждено формирование твердого раствора InP$_x$Sb$_{1-x}$ в InSb.
Ключевые слова:
твердофазные реакции замещения, $p$–$n$-переход, легирование, узкозонные полупроводники.
Поступила в редакцию: 11.07.2023 Исправленный вариант: 29.08.2023 Принята в печать: 29.08.2023