Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Р. Ю. Козлов, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, А. С. Власов, В. И. Васильев, “Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb”, Письма в ЖТФ, 2023, том 49, выпуск 20,страницы 20

Процессы твердофазного замещения фосфором в InAs и InSb

Г. С. Гагис^a, В. И. Кучинский^a, Р. Ю. Козлов^bc, Д. Ю. Казанцев^a, Б. Я. Бер^a, М. В. Токарев^a, А. С. Власов^a, В. И. Васильев^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
^c Государственный научно-исследовательский институт редкоземельной промышленности, Москва, Россия

Аннотация: Исследованы процессы твердофазного замещения атомов пятой группы атомами фосфора в полупроводниковых пластинах InAs при температурах 580–590$^\circ$C и InSb при 440–460$^\circ$C с использованием в качестве источников паров растворов-расплавов Sn–ZnGeP$_2$ и Sn–CdGeP$_2$. Методом комбинационного рассеяния света подтверждено формирование твердого раствора InP$_x$Sb$_{1-x}$ в InSb.

Ключевые слова: твердофазные реакции замещения, $p$–$n$-переход, легирование, узкозонные полупроводники.

Поступила в редакцию: 11.07.2023
Исправленный вариант: 29.08.2023
Принята в печать: 29.08.2023

DOI: 10.61011/PJTF.2023.20.56341.19683